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GaN基蓝光发光二极管的波长稳定性研究

作者：... 汪莱 , 孙长征 , 郝智彪

来源：[J].物理学报(IF 1.016), 2004, (08), pp.2720-2723CNKI

摘要：尽管GaN基蓝绿光发光二极管 (LED)已进入大规模商品化阶段 ,但其发光波长随注入电流的变化仍是一个尚未解决的关键技术难题 .同时 ,蓝绿光LED电注入发光光谱的半高全宽多为 2 5nm以上 .通过优化LED器件材料的...

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MOCVD生长GaN材料的模拟

作者：... 孙长征 , 郝智彪 , 韩彦军

来源：[J].半导体学报, 2005, (04), pp.735-739CNKI

摘要：基于计算流体力学在三维空间中模拟了水平行星式金属有机物化学气相沉积(MOCVD)反应器生长GaN材料的流场、热场、反应物与生成物的分布以及材料生长速率等重要物理参数.计算结果与同样条件下的实验结果吻合...

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鲍鱼壳中的一维光子带隙结构

作者：... 李琦 , 韩朔 , 郝智彪

来源：[J].科学通报, 2005, (13), pp.1422-1424CNKI

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基于X射线衍射的GaN薄膜厚度的精确测量

作者：... 韩彦军 , 郝智彪 , 孙长征

来源：[J].物理学报(IF 1.016), 2008, (11), pp.7119-7125CNKI

摘要：结合Williamson-Hall plot方法和线型分析方法的优点,提出了一种有效分离有限晶粒尺寸和非均匀应力等X射线衍射展宽效应的方法,可以用于GaN外延层厚度等参数的快速精确测量.用该方法对一系列在蓝宝石衬底上生长...

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切实做好国家重点实验室大型仪器设备的管理工作

作者：张英香 , 郝智彪

来源：[J].实验技术与管理, 2005, (12), pp.145-147CNKI

摘要：文章根据集成光电子学国家重点联合实验室清华大学实验区在如何选购贵重仪器设备、建立一整套合理的运行机制等方面进行了研究和探索,提出了实施岗位责任制、建立技术档案、上岗培训等管理办法,...

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AlN/蓝宝石模板上生长的GaN研究

作者：... 张辰 , 郝智彪 , 罗毅

来源：[J].物理学报(IF 1.016), 2010, (11), pp.8021-8025CNKI

摘要：研究了在分子束外延制备的AlN/蓝宝石模板上采用金属有机物化学气相外延生长的非故意掺杂GaN的材料性质.采用X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)和原子力显微镜研究了AlN模板的晶体质量和表面相貌对GaN的影响.结果表...

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切实做好国家重点实验室大型仪器设备的管理工作

作者：张英香 , 郝智彪

来源：[J].实验技术与管理, 2005, (12), pp.145-147CNKI

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AlGaN表面坑状缺陷及GaN缓冲层位错缺陷对AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应的影响

作者：郝智彪 , 汪莱 ...

来源：[J].物理学报(IF 1.016), 2008, (11), pp.7238-7243CNKI

摘要：利用金属有机气相外延(MOVPE)技术生长了具有不同AlGaN表面坑状缺陷和GaN缓冲层位错缺陷密度的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)样品,并对比研究了两种缺陷对器件栅、漏延迟电流崩塌效应的影响.栅延迟测试表明,A...

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电感耦合等离子体刻蚀InP端面的掩膜特性研究

作者：... 孙长征 , 郝智彪 , 罗毅

来源：[J].功能材料与器件学报, 2003, (04), pp.432-436CNKI

摘要：深入研究了掩膜制作工艺对电感耦合等离子体刻蚀的InP端面的影响。首先比较了光刻胶、SiO_2和Si_3N_4三种材料的掩膜特性,发现掩膜图形的致密性、侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。...

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分子束外延生长InGaN/AlN量子点的组分研究

作者：郝智彪 , 胡健楠 ...

来源：[J].物理学报(IF 1.016), 2012, (23), pp.479-483CNKI

摘要：报道了分子束外延生长的绿光波段InGaN/AlN量子点材料,并综合考虑InGaN量子点的应变弛豫,以及应力和量子限制斯塔克效应对量子点发光波长的影响,提出了一种结合反射式高能电子衍射原位测量与光致荧光测量确定I...

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