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作者:徐庆庆 , 徐志成 ...
来源:[J].2013, Vol.32 (3), pp.210-214AP
作者:徐庆庆 , 顾仁杰
来源:[J].2009, Vol.28 (5), pp.325-329AP
作者:徐庆庆 , 陈晓静 ...
来源:[J].2009, Vol.28 (4), pp.246-248AP
作者:徐庆庆 , 陈建新 ...
来源:[J].红外与激光工程, 2012, (01), pp.7-9+42CNKI
摘要:InAs/GaSb II类超晶格探测器是近年来国际上发展迅速的红外探测器,其优越性表现在高量子效率和高工作温度,以及良好的均匀性和较低的暗电流密度,因而受到广泛关注。报道了InAs/GaSb超晶格中波材料的分子...
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作者:徐庆庆 , 陈建新 ...
来源:[J].红外与毫米波学报(IF 0.292), 2011, (05), pp.406-408+438CNKI
摘要:报道了InAs/GaSb超晶格中波材料的分子束外延生长技术研究.通过改变GaSb衬底上分子束外延InAs/GaSb超晶格材料的衬底温度,以及界面的优化等,改善超晶格材料的表面形貌和晶格失配,获得了晶格失配Δa/a=1.5×10-4...
被引频次:4下载频次:99

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