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作者:吴为敬 , 颜骏 ...
来源:[J].液晶与显示, 2011, (02), pp.147-153CNKI
摘要:分析比较了ZnO TFT与IGZO TFT的主要光电学特性以及阈值电压稳定性。结果表明:ZnO薄膜与IGZO薄膜在可见光波长范围内都有着较高的光学透过率;在同等制备条件下,IGZO TFT器件的场效应迁移率、开关电流比、阈值电压及...
被引频次:8下载频次:798
作者:吴为敬 , 许志平 ...
来源:[J].微电子学, 2011, (06), pp.888-893CNKI
摘要:总结了氧化锌基TFT稳定性的最新研究进展,分析了栅偏压、栅绝缘层和背沟道影响TFT稳定性,尤其是阈值电压稳定性的主导机制。结果表明,氧化锌基TFT的不稳定性主要取决于陷阱缺陷态对可动载流子的俘获作用,...
被引频次:2下载频次:160
作者:吴为敬 , 张晓东
来源:[J].真空科学与技术学报, 2004, (02), pp.28-31CNKI
摘要:由单粒子轨道理论 ,从分析磁镜场中荷电粒子的受力情况出发 ,应用计算机数值求解方法模拟了磁镜场中荷电粒子的运动情况。结果表明 :与经典的理论分析结果不同 ,当荷电粒子的起始位置与磁轴的距离不...
被引频次:7下载频次:195
作者:... 宋小锋 , 吴为敬 , 姚若河
来源:[J].液晶与显示, 2013, (03), pp.386-391CNKI
摘要:提出了一种新型有源矩阵有机发光显示用电流编程型像素驱动电路。该像素电路由3个开关薄膜晶体管、一个驱动薄膜晶体管、一个存储电容和两条控制线构成。仿真结果表明,该4T1C像素电路可以补偿薄膜晶体...
被引频次:-下载频次:33
作者:姚若河 , 吴为敬 , 朱建培
来源:[J].物理实验, 2005, (06), pp.6-8+11CNKI
摘要:结合DSP的理论学习,开发了电机转速测量的综合性、设计性实验.通过对定子线圈的电动势进行采集、频谱分析和计算,实现了对电机转速的无速度传感器直接测量.
被引频次:1下载频次:354
作者:... 朱建培 , 吴为敬 , 张炜华
来源:[J].微电子学, 2006, (02), pp.225-228CNKI
摘要:分析了Flip-around结构采样保持电路产生失真的原因。采用增加哑开关管的自举开关,消除与输入有关的电荷注入和时钟馈通;采用增益增强技术,提高运算放大器的直流增益,并通过调整辅助运放的负载电容大小...
被引频次:2下载频次:182
作者:... 朱建培 , 吴为敬 , 张炜华
来源:[J].微电子学, 2006, (02), pp.225-228CNKI
摘要:分析了Flip-around结构采样保持电路产生失真的原因。采用增加哑开关管的自举开关,消除与输入有关的电荷注入和时钟馈通;采用增益增强技术,提高运算放大器的直流增益,并通过调整辅助运放的负载电容大小...
被引频次:2下载频次:182
作者:欧秀平 , 姚若河 , 吴为敬
来源:[J].微电子学, 2008, (06), pp.796-799+816CNKI
摘要:通过对晶粒间界两侧耗尽区建立准二维模型,研究晶粒间界电荷分享效应对多晶硅薄膜晶体管阈值电压的影响。研究表明,考虑了晶粒间界电荷分享效应的阈值电压将变小,其中晶粒尺寸对阈值电压的影响最大。在此...
被引频次:2下载频次:94
作者:胡云峰 , 李斌 , 吴为敬
来源:[J].微电子学, 2008, (03), pp.392-396CNKI
摘要:泄漏电流是多晶硅薄膜晶体管应用的一个主要问题。多晶硅薄膜晶体管泄漏电流的建模对集成多晶硅薄膜晶体管设计和工艺改进具有重要意义。总结了多晶硅薄膜晶体管泄漏电流建模思想,并对三种基于不...
被引频次:1下载频次:130

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