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作者:... 康宾阳 , 于彤军 , 刘秀云
来源:[J].包头医学院学报, 1997, (03), pp.49-50CNKI
摘要:小儿肺炎及合并心力衰竭血浆心钠素测定的临床研究刘静,康宾阳,于彤军,刘秀云(包头医学院二附院儿科,包头014030)采用放射免疫技术,测定小儿肺炎及合并心衰时血浆心钠素(ANP)的...
被引频次:-下载频次:5
作者:于彤军 , 杨志坚 ...
来源:[J].液晶与显示, 2004, (02), pp.83-86CNKI
摘要:用 1mm× 1mm的大尺寸GaN基蓝光发光二极管 (LED)芯片和YAG∶Ce黄光荧光粉在食人鱼支架上封装大功率白光LED。其 2 0 0mA下的发光功率为 13.8mW ,约为相同LED外延片制备的普通尺寸LED的 10倍。同时改变注入电流 ,发...
被引频次:43下载频次:573
作者:... 杨志坚 , 于彤军 , 张国义
来源:[J].红外与毫米波学报(IF 0.292), 2002, (05), pp.390-392CNKI
摘要:利用自行研制的InGaN GaNSQW蓝光LED芯片和YAG :Ge3 + 荧光粉制作了高亮度白光LED(Φ3) ,并对其发光强度、色度坐标、I V、色温及显色性等特性进行了研究 .实验结果表明 :室温下 ,正向电流为 2 0mA时 ,白光LED的轴...
被引频次:25下载频次:330
作者:于彤军 , 陈志忠
来源:[J].材料研究学报, 2006, (02), pp.153-155CNKI
摘要:测量了GaN 基紫光 LED 的光功率(P)在不同工作电流和环境温度(室温和60℃)下随时间的变化,研究了 LED 的可靠性.结果表明,紫光 LED 的功率在前48h 内迅速衰减,而在48h 后衰减速率减慢;与光功率的衰减规律相对...
被引频次:12下载频次:366
作者:于彤军 , 陈志忠
来源:[J].材料研究学报, 2006, (02), pp.153-155CNKI
摘要:测量了GaN 基紫光 LED 的光功率(P)在不同工作电流和环境温度(室温和60℃)下随时间的变化,研究了 LED 的可靠性.结果表明,紫光 LED 的功率在前48h 内迅速衰减,而在48h 后衰减速率减慢;与光功率的衰减规律相对...
被引频次:12下载频次:366
作者:于彤军 , 童玉珍 ...
来源:[J].半导体学报, 2007, (07), pp.1121-1124CNKI
摘要:研究了MOCVD生长的具有双发射峰结构的InGaN/GaN多量子阱发光二极管(LED)的结构和发光特性.在透射电子显微镜(TEM)下可以发现量子阱的宽度不一致,电致发光谱(EL)发现了位于2.45eV的绿光发光峰和2.81eV处的蓝光发光峰...
被引频次:4下载频次:489
作者:于彤军 , 杨志坚 ...
来源:[J].发光学报, 2006, (01), pp.69-74CNKI
摘要:研究用于GaN基大功率倒装焊(Flip-chip)紫光LED(UV-LED)的高反射率p型欧姆接触的电学和光学性能。用磁控溅射的方法在GaN基LED外延片表面沉积了不同厚度Ag,Al,Au和Pd四种金属,测量了样品的反射率和透射率。结合同步...
被引频次:3下载频次:359
作者:于彤军 , 杨志坚 ...
来源:[J].发光学报, 2006, (01), pp.69-74CNKI
摘要:研究用于GaN基大功率倒装焊(Flip-chip)紫光LED(UV-LED)的高反射率p型欧姆接触的电学和光学性能。用磁控溅射的方法在GaN基LED外延片表面沉积了不同厚度Ag,Al,Au和Pd四种金属,测量了样品的反射率和透射率。结合同步...
被引频次:3下载频次:359
作者:于彤军 , 张昊翔 ...
来源:[J].液晶与显示, 2004, (01), pp.1-4CNKI
摘要:研究了热退火对InGaN/GaN多量子阱LED的Ni/Au p GaN欧姆接触的影响。发现在空气和N2气氛中交替地进行热退火的过程中Ni/Au接触特性显示出可逆现象。Ni/Au p GaN接触的串联电阻在空气中随合金化时间逐渐减小,在随后的...
被引频次:7下载频次:230
作者:于彤军 , 徐承龙 ...
来源:[J].光谱学与光谱分析(IF 0.293), 2012, (01), pp.7-10CNKI
摘要:运用电致发光(EL)和光致发光(PL)实验,分析了图形化蓝宝石衬底(PSSLEDs)和常规平面蓝宝石衬底(C-LEDs)InGaN/GaN多量子阱发光二极管的光谱特性。对比EL谱,发现PSSLEDs拥有更强的光功率和更窄的半峰宽(FWHM),说明PSSLEDs...
被引频次:-下载频次:210

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